クロック周波数6％向上の次世代チップ搭載へ
2026年の発売が見込まれるSamsungのフラッグシップモデル「Galaxy S26」シリーズに関し、注目の情報が登場しました。スマートフォンのリーク情報で知られる「UniverseIce」氏が、次期モデルにはQualcomm製の最新チップ「Snapdragon 8 Elite 2 for Galaxy」が搭載されると明らかにしました。
このチップは、前モデルに採用された「Snapdragon 8 Elite」に比べて最大クロック周波数が約6％向上し、最大4.74GHzに達するとされています。これにより、特にシングルコア性能の向上が期待されており、アプリの起動速度やレスポンスがさらに快適になると見られています。
製造プロセスに2つのバリエーション？TSMCとSamsungの両プロセスを採用か
今回注目すべきは、Snapdragon 8 Elite 2が2つの異なる製造プロセスで製造される可能性があるという点です。具体的には、台湾のTSMCが手がける「N3P（3nm）」プロセスと、Samsungの新プロセス「SF2（2nm）」が候補に挙がっています。
このデュアルソース化により、同じチップ名でも性能やコストが異なる「2つのクラス」のSnapdragon 8 Elite 2が市場に出回る可能性があります。Galaxy S26 Ultraのような本格派フラッグシップモデルには、TSMC製の高性能版が採用される一方で、コストパフォーマンスを重視するOPPOやXiaomiといった中国ブランドの端末には、Samsung製の低価格版が搭載される可能性もあるとのことです。
地域によってはExynos 2600を採用か
一方で、SamsungはGalaxy S26シリーズのすべてのモデルにSnapdragonを採用するとは限らず、一部地域では自社開発のExynos 2600が搭載される可能性も高いと見られています。
このExynos 2600は、Samsungの最新プロセス「SF2（2nm）」で製造されており、開発中ながら安定した性能を示しているとの報告もあります。Snapdragonとのハイブリッド展開は、これまでのGalaxyシリーズでも行われてきた手法であり、今回も地域別の最適化戦略として採用される可能性があります。
フラッグシップ市場は新たな局面へ
Galaxy S26シリーズは、プロセッサの性能向上に加え、Ultraモデルではバッテリー容量や充電速度の向上も噂されています。高性能なSnapdragon 8 Elite 2に加え、冷却設計や省電力制御も進化すれば、ゲームや動画編集といった重負荷タスクにも余裕で対応できる真のハイエンドモデルとしての完成度が期待されます。
これまで以上にパフォーマンスとバリエーションの幅が広がる次期Galaxyシリーズは、2026年のスマートフォン市場で注目の的となりそうです。正式発表に向けて、今後の動向にも目が離せません。
