Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6の実機動画が流出、新パッケージとGeekbenchスコアが判明

Qualcommがまもなく発表するとみられるSnapdragon 8 Elite Extreme Gen 6について、エンジニアリングサンプルとされる端末の動画が公開されました。2nmプロセスを採用する次世代SoCのCPU構成に加え、Geekbench 6のスコアや新しいパッケージ構造も確認されています。

2+3+3構成のCPUを採用

今回の情報は、中国のコンテンツクリエイターが公開したエンジニアリングサンプルの動画から判明したものです。

Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6は、Qualcommとして初めて2nmプロセスを採用するSoCになるとされており、CPUは2+3+3の構成に変更されています。

2基の高性能コアが最大5.10GHz、3基が4.00GHz、残る3基が3.74GHzで動作するとされ、従来世代からCPU構成そのものが大きく変更されています。

この変更には、TSMCの2nmプロセス「N2P」への移行だけでなく、新しいチップパッケージの採用も関係している可能性があります。

Geekbench 6ではシングル4327、マルチ12873

エンジニアリングサンプルで実施されたGeekbench 6では、シングルコアが4327、マルチコアが12873というスコアを記録したとされています。

一方、AppleのA20 Proはシングルコア4725、マルチコア12575とされており、今回の結果ではシングルコア性能でA20 Proが上回る一方、マルチコアではSnapdragon 8 Elite Extreme Gen 6が上回っています。

ただし、今回の結果はあくまで開発段階のサンプルによるものです。エンジニアリングサンプルでは消費電力や動作条件が製品版と異なる場合があるため、実際のスマートフォンに搭載された際の性能が同じになるとは限りません。

新しいパッケージに放熱機構を採用か

今回の動画で特に注目されるのが、SoCのパッケージ構造です。

Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6には、SamsungのExynos 2600でも採用された「Heat Pass Block」と呼ばれる放熱機構に似た構造が確認されています。SoCから発生する熱をより効率的に逃がすためのヒートシンクのような役割を担うものとされています。

2nmプロセスや高い動作クロックを採用することで性能が向上する一方、スマートフォンでは発熱と消費電力の制御も重要になります。新しいパッケージ構造が、こうした課題への対策として採用された可能性があります。

また、今回の情報ではSamsung製DRAMがSoCの上部に配置されていることも確認されています。AppleのA20 ProではメモリをSoCの横に配置する構造が採用されているとされており、両社のパッケージ設計には違いがあります。

正式発表はまもなく

今回流出したのはあくまでエンジニアリングサンプルであり、最終製品の仕様や性能を示すものではありません。

QualcommのSnapdragon Summitは翌日に開催される予定とされているため、今回の動画で明らかになっていない正式な仕様や性能、製造プロセスなどについても、まもなく詳細が発表される見込みです。

2nm世代へ移行したSnapdragon 8 Elite Extreme Gen 6が、実際のスマートフォンでどこまで性能と電力効率を両立できるのか、正式発表に注目が集まります。

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