半導体メーカーのSKハイニックスは、次世代モバイル向けメモリとなるLPDDR6 DRAMの開発に成功したと発表しました。新製品は第6世代10nmクラスの製造プロセスである「1cノード」を採用し、最大10.7Gbpsの高速データ転送と高い電力効率を実現しています。
次世代10nmプロセス「1cノード」を採用
今回発表されたLPDDR6メモリは、容量16GbのDRAMチップで、SK hynixの最新製造プロセスである1cノードを採用しています。
同社は今年1月のCESでこの技術を公開していましたが、今回世界で初めて1cプロセスによるLPDDR6の検証を完了したとしています。今後は2026年前半に量産準備を整え、後半には供給を開始する計画です。
主な用途としては、スマートフォンやタブレットなどのモバイル機器が想定されており、特に端末内でAI処理を行うオンデバイスAI向けのメモリとして位置付けられています。
LPDDR5Xより33％高速化
新しいLPDDR6メモリは、従来世代のLPDDR5Xと比較して大幅な性能向上が図られています。
データ処理速度は約33％向上し、基本動作速度は10.7Gbps以上に達します。これは従来製品の最大速度を上回る水準となります。
この性能向上は、メモリ帯域の拡張とデータ転送量の増加によって実現されています。AI処理や高度なマルチタスク処理など、より大きなデータ処理を必要とする用途での性能向上が期待されています。
消費電力は20％以上削減
性能向上と同時に、電力効率も改善されています。
新製品ではサブチャネル構造とDVFS技術を採用し、前世代製品と比べて消費電力を20％以上削減しています。サブチャネル構造は必要なデータ経路のみを動作させる仕組みで、無駄な電力消費を抑えることができます。
またDVFSは使用状況に応じて周波数と電圧を調整する技術で、高負荷なゲームやAI処理時には帯域を最大化し、通常使用時には消費電力を抑えるよう自動で調整されます。
オンデバイスAI時代のモバイルメモリへ
スマートフォンでは近年、AI処理をクラウドではなく端末内部で行うオンデバイスAIの重要性が高まっています。
SK hynixは今回のLPDDR6を、こうしたAI処理に最適化したメモリとして展開していく方針です。高速なデータ処理能力と省電力性能により、バッテリー駆動時間の延長やマルチタスク性能の向上といったメリットが期待されています。
同社は今後、モバイル機器メーカーと協力しながら次世代AIデバイス向けメモリソリューションの提供を進めていく考えです。LPDDR6の量産が始まれば、今後登場するスマートフォンやタブレットの性能にも大きな影響を与える可能性があります。
