Samsungの最新フラッグシップ「Galaxy S26」シリーズに搭載されるExynos 2600について、長年指摘されてきた発熱やサーマルスロットリングの問題が大きく改善された可能性が浮上しています。実機を用いたサーマルテストの結果から、その進化が明らかになりました。
実機テストで見えた温度の安定性
今回検証を行ったのは、海外のテック系YouTubeチャンネル。Galaxy S26およびGalaxy S26+を用い、AnTuTuや3DMark、CPUスロットリングテストに加え、実際のゲームプレイによる発熱状況をチェックしました。
検証では室温約26度の環境下で、「League of Legends: Wild Rift」「Genshin Impact」「Honkai」など高負荷タイトルを最高画質設定で連続プレイしています。
「League of Legends」プレイ時、Galaxy S26の表面温度は平均約32度にとどまりました。また、Galaxy S26+で「Genshin Impact」を15分以上プレイした場合でも、前面の最高温度は約38度、背面は37〜37.5度程度で推移しています。
さらに負荷の高い「Honkai」では、一部フレームレート低下が見られたものの、前面は最大39度、背面も38度強に収まっており、従来のExynos世代と比較すると明らかに安定した熱制御が確認されています。
2nm GAA採用で効率向上
Samsung Electronicsが今回投入したExynos 2600は、同社初となる2nm GAAプロセスを採用しています。GAAはゲートがチャネルを四方から囲む3次元トランジスタ構造で、電圧効率と電流制御性能に優れ、消費電力と発熱の抑制に大きく寄与します。
この微細化と構造刷新が、根本的な熱効率の改善につながっているとみられます。
新パッケージ技術と放熱構造も刷新
さらに、FOWLPと呼ばれる新しいパッケージング技術を導入。従来の基板ベース設計とは異なり、ウエハーレベルで入出力端子を統合することで、チップの薄型化と効率向上を実現しています。
加えて、Heat Path Blockと呼ばれる銅製ヒートシンク構造を新採用。APに直接接触する放熱設計とし、DRAM配置も見直すことで、熱抵抗を最大30％改善したとされています。
Exynosの評価を覆す世代に
Exynosシリーズはこれまで、性能そのものよりも発熱やスロットリングの面で厳しい評価を受けることが少なくありませんでした。しかし、Exynos 2600ではプロセス技術、パッケージ、冷却設計の三方向から抜本的な改良が加えられています。
実機テストの結果を見る限り、長時間の高負荷利用でも温度上昇は比較的穏やかで、サーマル制御は明確に進化しているようです。今後さらなる検証は必要ですが、Exynos 2600はシリーズの評価を塗り替える転機となる可能性があります。
