Pixel 10とPixel 11に搭載の次世代Tensorチップの詳細がリーク！

最近の大規模な情報漏洩によって、Googleの次世代Pixel 10および11に搭載されるTensorチップの製造プロセスが明らかになりました。この新しい情報は、AppleのiPhoneと同様の技術を採用していることを示しています。

Tensorチップの進化

GoogleはPixelシリーズに自社開発のTensorチップを導入して以来、バッテリー性能や熱管理に関する不満の声が上がっていました。これは、SamsungのS.LSI部門にチップの製造プロセスを委託したことが一因です。最近のSamsungのプロセスノードは、ライバルのTSMCと比較して性能が劣ることが多く、これが影響していました。

しかし、Googleはこの問題を解決するためにSamsungから手を引き、今後のチップを自社で設計することを決定しました。そして、TSMCの技術を採用することも確認されました。これにより、Pixel 10および11のTensor G5およびG6がどのようなプロセスで製造されるかが注目されます。

新しいプロセスノードの詳細

特に注目すべきは、次年度のPixel 10シリーズに搭載されると予想されるTensor G5（コードネーム「ラグーナ」）が、TSMCの3nmクラスN3Eプロセスで製造されるという点です。このプロセスは、iPhone 16 ProのA18 ProやM4チップでも使用されています。この新しいプロセスは、Samsungの4nmクラス4LPEノードを使用していたTensor G4に比べ、効率と性能の両面で大きな向上をもたらすことでしょう。

さらに、2026年に登場予定のTensor G6（コードネーム「マリブ」）は、TSMCのN3Pプロセスで製造されることが予想されています。これはAppleのA19チップにも使用されると噂されています。N3Pノードは3nmクラスでありながら、いくつかの改善が加えられています。

PPA指標の改善

チップの製造プロセスにおいて重要な指標である「PPA」（Power, Performance, Area）においても、Tensor G6は大きな改善が見込まれます。周波数を5%向上させることでパフォーマンスが向上し、同じ周波数を維持したままであれば7%の省電力が可能になります。これにより、チップのサイズも4%小型化される見込みです。