サムスン電子が次世代モバイルおよびコンピューティングシステム向けに最近承認されたJEDECストレージ規格に準拠した初のUFS 4.0ソリューションの開発を発表しました。
同社が公式ツイッターアカウント上で明らかにしたもんで、これによるとこのSamsung UFS 4.0はまず、1レーンあたり最大23.2ギガビット/秒（Gbps）の速度を提供。これは既存の主なハイエンドスマートフォンに搭載されているUFS 3.1の2倍の速度に相当します。
これにより、UFS 4.0は、高解像度画像や大容量のモバイルゲームのプレイなど、大量のデータ処理を必要とする機能を持つ5Gスマートフォンや、自動車、AR/VRアプリケーションに対応するとのこと。
また、サムスンの第7世代V-NANDと独自のコントローラを搭載したこのUFS 4.0は、シーケンシャルリード速度4,200メガバイト/秒、シーケンシャルライト速度2,800MB/秒で、従来製品のUFS 3.1に比べてそれぞれ約2倍、約1.6倍の高速性を実現します。
また、電力効率も著しく向上。UFS 4.0は、1ミリアンペア（mA）あたり最大6.0MB/sのシーケンシャルリード速度を実現し、UFS 3.1と比べて46パーセントの電力効率の改善を達成。
これにより、同じバッテリー容量でもスマートフォンのバッテリー持ちの向上が見込まれるとのことです。
さらにこのSamsung製UFS 4.0は、先進のReplay Protected Memory Block (RPMB)を搭載。この設計は、認証されたアクセスによってのみ読み取りまたは書き込みが可能な重要な個人データを保存する際に、1.8倍の効率性を発揮するとのことです。
なお、このUFS4.0のフラッシュメモリーは2022年の第3四半期より大量生産を開始。
よって、おそらく来年のフラッグシップ、Galaxy S23シリーズやXperia 1 V/5 Vといったモデルで実装されることが予想されます。
ソース：Twitter
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