Qualcommが来月発表予定の次世代フラッグシップSoC「Snapdragon 8 Elite Gen 2」が、Samsungの新型スマートフォン「Galaxy S26 Edge」でテストされ、そのベンチマーク結果が初めて確認されました。
発表目前でベンチマークに登場
Qualcommは9月23日から開催される「Snapdragon Summit」でこの新チップを正式発表する見込みです。それに先立ち、同SoCはすでにAnTuTuで約380万点という驚異的なスコアを記録。これは現行のSnapdragon 8 Elite搭載機種の最速モデルを40％以上上回る数字です。
今回Geekbench 6に登場したのは、型番「SM-S947U」のGalaxy S26 Edge。Android 16を搭載し、CPU構成は「2＋6」のクラスター構成で、効率コアは最大3.63GHz、性能コアは最大4.74GHz駆動が可能とされています。これはTSMCの第3世代3nmプロセス「N3P」を採用したことによる効率向上が背景にあるとみられます。
実測では性能コアが4.00GHzに制限
テスト結果は、シングルコアで3,393点、マルチコアで11,515点という非常に高い数値を記録しました。ただし、Abhishek Yadav氏の指摘によると、今回のテストでは性能コアは最大の4.74GHzではなく4.00GHzで動作していたとのこと。これがSamsungまたはQualcommによる意図的な設定なのかは不明です。
また、このモデルは12GBのRAMを搭載しており、薄型ボディながらも高い処理性能を発揮していることがうかがえます。
Galaxyシリーズ特有の傾向も
Geekbench 6は持続的な性能を測定する設計ではないため、このスコアは短時間でのピーク性能を示すものです。発熱による性能低下（サーマルスロットリング）の影響までは反映されていません。過去の傾向として、Samsung端末は同等以上のSnapdragonチップを搭載していても他社モデルよりGeekbenchスコアが低めに出ることがあり、この点は今後の最適化が期待されます。
次は、上位モデル「Galaxy S26 Ultra」が同ベンチマークに現れた際、どこまでスコアを伸ばせるのかに注目が集まりそうです。
