サムスンが次期フラッグシップ「Galaxy S25」シリーズに、さらに効率的な新型RAMを採用することが明らかになりました。昨年のGalaxy S24シリーズで初めて搭載された「LPDDR5X」は、その性能が評価され、S25シリーズでも引き続き採用されるものの、今回はより進化した半導体プロセスで製造されたものとなります。
12nmプロセスのRAMで効率性を向上
これまでGalaxy S24シリーズでは、サムスン製の13nmプロセスで作られたLPDDR5X RAMが使用されていました。しかし、Galaxy S25シリーズでは12nmプロセスに切り替わり、初期出荷分のRAMは米マイクロンが供給する予定です。今後の生産分では、サムスン製RAMの比率も増やされる見込みです。
12nmプロセスを採用した新型RAMは、消費電力を抑え、発熱を軽減しつつ、全体的な効率を向上させるとされています。これにより、S25シリーズはさらなるパフォーマンスの向上が期待されています。
小型モデルにも12GB RAMを搭載
特に注目すべきは、Galaxy Sシリーズのスタンダードモデル（無印モデル）にも12GB RAMが搭載される点です。これまで8GB RAMが標準仕様だったスタンダードモデルも、ついに他モデルと同様のメモリ容量を持つことになります。このアップグレードにより、ユーザー体験が一段と快適になることでしょう。
Snapdragon 8 Eliteと強力な組み合わせ
新型RAMは、S25シリーズ全モデルに搭載される「Snapdragon 8 Elite」と組み合わせられます。この強力なプロセッサと効率的なRAMのコンビネーションが、性能面での大幅な進化を実現するカギとなります。
これまでのシリーズの実績を踏まえ、Galaxy S25はパフォーマンスと効率性を兼ね備えたフラッグシップモデルとして期待されています。詳細なスペックや新機能の発表が待ち遠しいですね！
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