先日クアルコムが発表をしたSnapdragon 8+ Gen1。
今年後半リリースの複数のハイエンドモデルに搭載されることになるこの新型チップですが、公式発表でレギュラーのSnapdragon 8 Gen1と比べてパフォーマンスが10%程度、電力効率は最大で30%ほど向上していると言われています。
そんなSD8+Gen1ですが、今回、有名リーカーのice universe氏がWeibo上で興味深い情報を提供していました。
以下はSD8Gen1を搭載したGalaxy S22 UltraとSD8+Gen1搭載のリファレンス機の3DMarkベンチマークにおけるWilld Life Extremeの測定結果：
これは高負荷のかかるプロセスを繰り返し行った際の性能変化を測定するストレステスト。
ご覧のようにGalaxy S22 UltraのSnapdragon 8 Gen1ではループスコアの最大値と最小値に約2倍の差があり、Loop1→Loop4の間にスコアが約25%低下しているのが分かります。
一方のSnapdragon 8+ Gen1では最大値と最小値の差は1.5倍もないくらいで、さらにLoop1→Loop4の間のスコア低下はほぼ見られません。
回数（ループ）を重ねるごとにスコアが落ちるのは端末が発熱を抑えるためにスロットリングをするからなのですが、Snapdragon 8+ Gen1のスコアの下がり方は無印のSnapdragon 8 Gen1と比べてかなりなだらかで、さらに低下率も小さくなっています。
つまり、Snapdragon 8+ Gen1はSnapdragon 8 Gen1と比べてかなり発熱に強く、また、性能が安定していると言えます。
これ、おそらくチップセットの発熱自体が抑えられていることが理由だと思われ、そういった意味でタイトルの「熱に強い」というのは適切ではないかもしれません。
ただ、無印SD8Gen1最大の問題点とされていた発熱問題が大きく改善されていることは事実なので、これはパフォーマンスの向上以上に大きな進化と言えそうですね。
ソース：Weibo
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