TSMCの4nmプロセスで製造、早ければ来月にも発表されると言われているSnapdragon 8 Gen1 Plus。
サムスン製のSnapdragon 8 Gen1の歩留まりの低さから、早々に同チップセットと入れ替わると言われており、6~7月にもこのチップセットを搭載したモデルが登場。
一部では、次期Xperiaフラッグシップにまで搭載されるといった噂すらでてきています。
一方、このSnapdragon 8 Gen1 PlusことSM8475についてはまだ詳しいスペックなどは判明しておらず、性能面でどの程度レギュラーモデルがから向上するのかも未知数。
そんな中、Weibo上でこのSnapdragon 8 Gen1 Plusの性能について興味深いシミュレーションを行った投稿が見つかりました:
これは、Snapdragon 8 Gen1 Plusのコア・アーキテクチャーをシミュレーションしたものとのことで、パフォーマンスコア(Cortex-A710)のクロックスピードをレギュラー版の2.5GHzから2.55GHzにクロックアップしたものの模様。
ご覧のようにシングルコアは約1300ポイント、マルチコアは4000ポイントを超えており、これはレギュラーのSnapdragon 8 Gen1では出せないスコアです。
ちなみに参考までにSnapdragon 8 Gen 1を搭載のXiaomi 12のGeekbenchベンチマークスコアは以下のような感じ:
平均スコアは良くてシングルコアが1100ポイント台、マルチコアが3400~3500ポイントといったところでしょうか。
つまり、今回のシミュレーション通りであれば、Snapdragon 8 Gen1+の性能はパフォーマンスコアの若干のクロックアップだけでベンチマーク上の性能が2割前後もアップする、ということに。
ちなみに今回のシミュレーションで使われたのはおそらくDimensity 9000搭載のRedmi K50 Pro+。
ご存知の方も多いと思いますが、Snapdragon 8 Gen1とDimensity 9000のコア構成は全く同じで異なるのはクロックスピードのみ:
Snapdragon 8 Gen1 | Dimensity 9000 |
1x 3 GHz – Cortex-X2 3x 2.5 GHz – Cortex-A710 4x 1.8 GHz – Cortex-A510 | 1x 3.05 GHz – Cortex-X2 3x 2.85 GHz – Cortex-A710 4x 1.8 GHz – Cortex-A510 |
理屈上はDimensity 9000のクロックスピードを調整することで、Snapdragon 8 Gen1 Plusの性能をシミュレートすることができる、というのが今回の趣旨だと思います。
もちろん、チップセットのパフォーマンスは発熱抑制は放熱、その他の要素にも影響されるので、実際にSnapdragon 8 Gen1 Plusがこの性能を出せるという保証はありません。
ただ、それにしてもたった0.05GHzのクロックスピードアップでこれだけスコアが変わるというのは驚きです。
ソース:Weibo
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