Qualcommが次世代フラッグシップSoC「Snapdragon 8 Elite Gen 6」シリーズに、SamsungのHeat Pass Block（HPB）技術を導入する可能性があるとの噂が出ています。これは、従来の蒸気室型冷却では対応が難しくなってきた高クロック動作時の発熱対策として注目されます。
高クロック化で求められる新しい冷却手法
Snapdragon 8 Elite Gen 5でも高いクロック速度を実現していますが、パッシブ冷却の蒸気室はすでに限界に近づいています。TSMCの2nmプロセスを採用しても、高速コアを積極的に駆動する場合は放熱がボトルネックとなり、より高度な冷却ソリューションが必要です。
Heat Pass Blockは、Exynos 2600で採用されている銅製ヒートシンクをチップのシリコンダイに直接接触させる方式です。従来設計ではDRAMがSoC上部に配置され熱を閉じ込める構造でしたが、HPBにより熱抵抗が16％改善され、チップ全体の温度を大幅に下げることが可能となります。
Snapdragon 8 Elite Gen 6でHPB導入の理由
Weibo上の情報によれば、Snapdragon 8 Elite Gen 6およびGen 6 ProはすでにHPB搭載を前提にテストされているとのことです。特に高性能コアで5.00GHz以上のクロックを狙う場合、スマートフォン内部の狭いスペースで安定した冷却を実現するには、HPBのような直接冷却構造がほぼ必須になります。
前世代のSnapdragon 8 Elite Gen 5は、Apple A19 Proを上回る性能を発揮するものの、Geekbench 6の測定では61％もの追加電力を消費しており、Gen 6シリーズでも同様の高性能・高クロック運用が想定されます。これにより、HPB導入は性能維持のための重要ポイントとなります。
QualcommがどのようにHPBをSnapdragon 8 Elite Gen 6シリーズに適用するか、そして実際の冷却性能がどれほど改善されるかは、今後の発表で明らかになる見込みです。
