Qualcommの次世代ハイエンドSoCとされるSnapdragon 8 Elite Gen 6について、発表を数か月後に控える中で詳細なブロック図がリークされ、注目を集めています。特に上位モデルと噂されるPro版では、性能だけでなく冷却設計にも大きな変化が加えられる可能性が浮上しています。
Proモデル限定で新たな冷却設計を採用か
中国からのリーク情報によると、Snapdragon 8 Elite Gen 6 ProにはHPBと呼ばれる冷却技術が採用される可能性があるとされています。HPBはHeat Pass Blockの略で、SamsungのExynos 2600でも使われている方式です。従来の配置とは異なり、チップパッケージの上部に専用の放熱層を直接配置することで、シリコンから発生する熱を素早く逃がすことを目的としています。
6GHz級の高クロック動作を支える狙い
Qualcommの近年のチップは非常に高い最大動作周波数を特徴としており、Snapdragon 8 Elite Gen 6 Proでは最大6GHzに達するとの噂もあります。ただし、過去の世代では発熱により性能を抑制せざるを得ない場面も少なくありませんでした。HPBの採用によって熱処理の余裕が生まれ、高性能をより長時間維持できるようになることが期待されています。
PoP構造と最新メモリ規格に対応
流出したブロック図からは、メモリ構成に関する情報も確認されています。Snapdragon 8 Elite Gen 6 Proは、プロセッサとメモリを積層するPackage-on-Package構造を採用する見込みで、省スペース化と高速通信の両立を図っているようです。
対応メモリはLPDDR6およびLPDDR5Xで、ストレージにはUFS 5.0を2レーン構成で利用するとされています。全体として、現行世代から大幅な進化が感じられる仕様です。
外部ディスプレイ活用を意識した機能強化も
性能面だけでなく、使い勝手の向上も意識されているようです。リーク情報ではマルチディスプレイ対応が示唆されており、スマートフォンを外部モニターに接続してデスクトップライクに使う用途を想定している可能性があります。
今回の情報が事実であれば、Qualcommは最上位チップにおいて放熱設計を根本から見直そうとしていることになります。ただし、このHPB構造がPro版専用なのか、通常版のSnapdragon 8 Elite Gen 6にも採用されるのかは現時点では不明です。正式発表に向けて、今後の追加情報が待たれます。
