LPDDR5Xで25％高速化、16GBメモリ構成の可能性も
サムスンが来年投入予定のフラッグシップモデル**「Galaxy S26 Ultra」に、スマートフォン市場で最速クラスとなるRAMが搭載される可能性が浮上しました。最新リークによると、新型LPDDR5Xチップを採用し、データ転送速度は10.7Gbpsに達する見込みです。これは前モデル「S25 Ultra」の8.5Gbpsから25％の大幅向上**となります。
処理性能の底上げにつながるRAM強化
スマホのスペックといえば、最新プロセッサやカメラ性能に注目が集まりがちですが、実際にはRAMの速度も処理性能に直結します。今回のリークは著名リーカーの@UniverseIce氏によるもので、S26 UltraのRAMは現行市場のどのスマートフォンよりも高速になる可能性があるとのことです。
RAM速度の向上は、単なるベンチマーク上の数字だけでなく、日常的な使用感にも影響します。アプリの起動や切り替え、重いゲームのロード時間短縮、マルチタスクの快適性向上など、あらゆる操作で“待ち時間の短縮”が期待できます。
ハードウェア構成も強力
さらに、全モデルで16GB RAMを搭載するとの情報もあり、SoCはSnapdragon 8 Elite Gen 2を採用する見込みです。この組み合わせにより、ゲーミングから高負荷のクリエイティブ作業まで幅広い用途でトップクラスのパフォーマンスを発揮すると考えられます。
サプライヤーはサムスンかMicronか
現時点で、このRAMモジュールの製造元は明らかになっていません。S25シリーズではMicron製RAMやストレージを採用していましたが、サムスンは2024年初頭に同等の10.7Gbps性能を持つLPDDR5X DRAMを自社開発済み。2025年にはMicronも同速度の製品を発表しており、どちらが採用されるかは今後の発表待ちとなります。
正式発表は数か月先とみられますが、S26 UltraはRAM性能だけでも大きな注目を集めそうです。高速化による操作性向上がどの程度体感できるのか、登場が待たれます。
