来年ソニーがリリースするSnapdragon 8 Gen2搭載機種、と言えば「Xperia 1 V」および「Xperia 5 V」、そしてひょっとすると新型Pro、仮称「Xperia Pro-II」が予想されています。
一方、少し前に出てきた最新の噂・リーク情報によると、次世代フラッグシップXperiaにはGalaxy S23シリーズと同じクロックアップされたSnapdragon 8 Gen2が搭載されるという可能性も浮上。
しかし今回、これに関連して少し心配な新情報が浮上しました。
2023年Xperiaフラッグシップにはサムスン製のSnapdragon 8 Gen2が搭載？
phoneArenaがTwitter上のリーカー、RGcloudS氏からの情報として伝えたもので、まず、Snapdragon 8 Gen2には「SM8550AB」という型番と「SM8550AC」という2つのバージョンが存在し、ABバージョンはサムスンが4nmのLPEプロセスを用いて製造、ACバージョンはTSMCのN4Pプロセスノードを用いて製造されるとのこと。
一方、このサムスン製のABバージョンは冒頭にも挙げたプライムコアのクロックスピードが3.32GHzにオーバークロックされたバージョンということになります。（レギュラーSD8Gen2のプライムコアは3.2GHz）。
そして今回かなり気になる部分が以下の内容：
このABバージョンはDRAMを搭載するカメラセンサーを搭載など、独自機能を持つ機種のためにデザインされており、ソニーも4K@120Hzディスプレイのために同チップを搭載する可能性がある、とのこと。
これは先のXperia 1 Vのスペック情報にあった、同モデルには「特別版」のSnapdragon 8 Gen2が搭載される、という情報とも整合性があります。
ただ、この特別版こと「SM8550AB」がサムスン製になる、というのは完全に初耳で、これは場合によっては大きなネガティブ材料になる可能性も。
ご存知のように、今年のSnapdragon 8 Gen1はリリース当初から発熱問題が指摘されていました。
また、同チップセットのファウンドリーはサムスンで、歩留まりが低いという報道も散見されていました。（厳密にはSD888からですが）
もちろん、SD8Gen1の発熱問題の原因が本当にサムスン製だったから、という確証はありません。
が、クアルコムがSD8+Gen1でファウンドリーをTSMCに変えたのは事実。
また、SD8+Gen1はSD8Gen1と比べて単なるクロックアップだけでなく、電力効率の向上も公式に謳われており、これまでのSD8シリーズのような単なる動作周波数アップだけではなく、それ以外にも改良点があったことは確かではないかと思います。
そして次世代のSD8Gen2のファウンドリーもTSMC、ということで一安心していたユーザーも多いはずです（特に発熱問題で今年のSD8Gen1搭載機の購入を見送った方は）。
もちろん、このサムスン製SD8Gen2がTSMC製よりも劣っているという情報は現在のところは皆無なので、過度な心配は不要だとは思います。
が、SD8Gen1の発熱問題を知っている方にとっては少し気になる情報であることは確かだと思います。
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